Сегодня на рынке энергонезависимой и энергозависимой памяти преобладают NAND и DRAM, но стоит отметить, что аналитики уже давно предрекают конец тотальной монополии данных технологий и скорое появление запоминающих устройств новых типов вроде NRAM, MRAM, PCRAM и т. д.
Отличным примером этому утверждению служат новости об успехах Numonyx и IBM в разработке новой PCRAM.
Также такой новостью стало известие о создании альянса между такими титанами, как Hynix и Toshiba, они планируют вести разработку и производство новой магнитнорезистивной памяти STT MRAM совместно.
Ученые различных компаний уже довольно долгое время ведут работы над памятью MRAM. Например, гигант полупроводников Freescale, который был подразделением Motorola, начал свои исследования в 1995 году.
В такой памяти принцип работы имеет сходство с принципом, в котором биты формируются на плоских магнитных сердечниках, они использовались еще в 1955г. Данная MRAM является матрицей ячеек, которая состоит из множества тончайших слоев с отличающимися магнитными свойствами, при том в каждой такой «клеточке» содержится транзистор, помимо элемента памяти.
MRAM, в состоянии на сегодня, более энергоэффективна, чем память DRAM. Последней необходимо беспрерывно поддерживать заряд конденсаторов, в то время как ячейки MRAM сохраняют свою намагниченность самостоятельно, и не требуют для записи и считывания больших затрат электроэнергии. Не первый год идет разговор о замене памятью MRAM флэш-памяти. Это может помочь снять все еще актуальную проблему энергопотребления в ноутбуках и т.п.
А вот относительно скорости записи и чтения у MRAM ее создатели продемонстрировали образцы данной памяти со временем доступа в 2мс., что намного быстрее, даже чем у самой продвинутой памяти DRAM. Это говорит о том, что скорость для MRAM не является проблематичным вопросом. В конце концов MRAM имеет возможность стать заменой как флешпамяти, так даже и оперативной памяти.
Ясно, что на данные исследования и запуск производства необходимо много времени и средств, так что быстрого перехода в эти годы, вне всякого сомнения, ждать не приходится.
«Мы верим в то, что MRAM имеет большой потенциал как энергонезависимая и хорошо масштабируемая память произвольного доступа» выразил свое мнение вице-президент корпорации Toshiba Corporation - Киеши Кобаяси- «Мы приложим все силы к внедрению и рекламированию MRAM на одном уровне с решениями HDD и NAND. В этом нам, бесспорно, помогут исследования в области MRAM совместно с компанией Hynix».
Hynix и Toshiba пока не говорят о каких-либо конкретных реальных продуктах, и также не указывают ожидаемое время появления их на рынке.
Мой блог находят по следующим фразам
Мой блог находят по следующим фразам
